DDTD113ZC-7-F Preise (USD) [1557132Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DDTD113ZC-7-F
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DDTD113ZC-7-F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DDTD113ZC-7-F
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
200MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3
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