Infineon Technologies - IRF7853TRPBF

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Artikelnummer:
IRF7853TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7853TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF7853TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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