Nexperia USA Inc. - PMV45EN2R

KEY Part #: K6420407

PMV45EN2R Preise (USD) [808029Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04578
  • 3,000 pcs$0.04072

Artikelnummer:
PMV45EN2R
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V SOT23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - spezieller Zweck ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PMV45EN2R elektronische Komponenten. PMV45EN2R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PMV45EN2R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV45EN2R Produkteigenschaften

Artikelnummer : PMV45EN2R
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V SOT23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 209pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 510mW (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-236AB
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3