APT45GP120B2DQ2G Preise (USD) [4228Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT45GP120B2DQ2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT45GP120B2DQ2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT45GP120B2DQ2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
113A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
170A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 45A
Leistung max :
625W
Energie wechseln :
900µJ (on), 905µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
185nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
18ns/100ns
Testbedingung :
600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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