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- Artikelnummer:
- APT11GP60BDQBG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 41A 187W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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APT11GP60BDQBG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT11GP60BDQBG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 600V 41A 187W TO247
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
41A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
45A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 11A
Leistung max :
187W
Energie wechseln :
46µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
40nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
7ns/29ns
Testbedingung :
400V, 11A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247-3
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