FDMS8050 Preise (USD) [59982Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMS8050
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS8050 elektronische Komponenten. FDMS8050 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS8050 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDMS8050 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS8050
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.65 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 750µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
285nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22610pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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