Renesas Electronics America - HAT2267H-EL-E

KEY Part #: K6409382

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    Artikelnummer:
    HAT2267H-EL-E
    Hersteller:
    Renesas Electronics America
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America HAT2267H-EL-E elektronische Komponenten. HAT2267H-EL-E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HAT2267H-EL-E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HAT2267H-EL-E Produkteigenschaften

    Artikelnummer : HAT2267H-EL-E
    Hersteller : Renesas Electronics America
    Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 12.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : LFPAK
    Paket / fall : SC-100, SOT-669

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