Infineon Technologies - IPS70R360P7SAKMA1

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Artikelnummer:
IPS70R360P7SAKMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS70R360P7SAKMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPS70R360P7SAKMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251
Serie : CoolMOS™ P7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 517pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 59.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO251-3
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA