APT50GN60BDQ2G Preise (USD) [14536Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT50GN60BDQ2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 107A 366W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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APT50GN60BDQ2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT50GN60BDQ2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 600V 107A 366W TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
107A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 50A
Leistung max :
366W
Energie wechseln :
1185µJ (on), 1565µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
325nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
20ns/230ns
Testbedingung :
400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247 [B]
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