ON Semiconductor - NGTB30N120IHLWG

KEY Part #: K6423636

[9585Stück Lager]


    Artikelnummer:
    NGTB30N120IHLWG
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 1200V 30A TO247.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NGTB30N120IHLWG elektronische Komponenten. NGTB30N120IHLWG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NGTB30N120IHLWG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NGTB30N120IHLWG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NGTB30N120IHLWG
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : IGBT 1200V 30A TO247
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : Trench Field Stop
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 60A
    Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 320A
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 30A
    Leistung max : 260W
    Energie wechseln : 1mJ (off)
    Eingabetyp : Standard
    Gate Charge : 420nC
    Td (ein / aus) bei 25 ° C : -/360ns
    Testbedingung : 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-247-3
    Supplier Device Package : TO-247