Rohm Semiconductor - RT1C060UNTR

KEY Part #: K6421489

RT1C060UNTR Preise (USD) [628503Stück Lager]

  • 1 pcs$0.06506
  • 3,000 pcs$0.06474

Artikelnummer:
RT1C060UNTR
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6A TSST8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RT1C060UNTR elektronische Komponenten. RT1C060UNTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RT1C060UNTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RT1C060UNTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : RT1C060UNTR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 650mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSST
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead