IXYS - IXFN180N25T

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IXFN180N25T Preise (USD) [4999Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFN180N25T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN180N25T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFN180N25T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
Serie : GigaMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 168A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 345nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 900W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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