DMP2006UFGQ-7 Preise (USD) [206882Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMP2006UFGQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMP2006UFGQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMP2006UFGQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17.5A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7500pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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