Microsemi Corporation - APT38N60BC6

KEY Part #: K6397762

APT38N60BC6 Preise (USD) [11943Stück Lager]

1 pcs$3.79443
10 pcs$3.41542
100 pcs$2.80832
500 pcs$2.35291
1,000 pcs$2.04931

Artikelnummer:: APT38N60BC6

Hersteller:: Microsemi Corporation

Detaillierte Beschreibung:: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247.

Standardlieferzeit des Herstellers:: Auf Lager

Haltbarkeit:: Ein Jahr

Chip von:: Hongkong

RoHS:

Zahlungsmethode:

Versand weg:

Familienkategorien:: KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Leistungstreibermodule ...

Wettbewerbsvorteil:: Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT38N60BC6 elektronische Komponenten. APT38N60BC6 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT38N60BC6 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT38N60BC6 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT38N60BC6

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Serie : CoolMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 112nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2826pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 278W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247 [B]

Paket / fall : TO-247-3

Neuesten Nachrichten

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Sie könnten auch interessiert sein an

TN0106N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.
FDD86250-F085

ON Semiconductor

NMOS DPAK 150V 22 MOHM.
IRLR024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.
IRLR2908PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.
TK100A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.
TK10A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

English Deutsch