BSS225H6327FTSA1 Preise (USD) [345760Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSS225H6327FTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 elektronische Komponenten. BSS225H6327FTSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS225H6327FTSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSS225H6327FTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSS225H6327FTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 94µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
131pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT89
Paket / fall :
TO-243AA
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