Microchip Technology - 2N7000-G

KEY Part #: K6407601

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Artikelnummer : 2N7000-G

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-92-3

Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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