Microsemi Corporation - APTGT50H60T3G

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APTGT50H60T3G Preise (USD) [1633Stück Lager]

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Artikelnummer:
APTGT50H60T3G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTGT50H60T3G elektronische Komponenten. APTGT50H60T3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTGT50H60T3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGT50H60T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A
Leistung max : 176W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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