APT41M80B2 Preise (USD) [5955Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT41M80B2
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT41M80B2 elektronische Komponenten. APT41M80B2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT41M80B2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APT41M80B2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT41M80B2
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8070pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1040W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
T-MAX™ [B2]
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
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