FDD5810-F085 Preise (USD) [203443Stück Lager]
- 1 pcs$0.18181
- Artikelnummer:
- FDD5810-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDD5810-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD5810-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.4A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1890pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
72W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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