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- Artikelnummer:
- NTP65N02R
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTP65N02R elektronische Komponenten. NTP65N02R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTP65N02R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NTP65N02R Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTP65N02R
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.6A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1330pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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