Artikelnummer :
R6011KNJTL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
390 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
124W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB