Artikelnummer :
RN1309(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
250MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
USM