NTJD1155LT1G Preise (USD) [730635Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTJD1155LT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NTJD1155LT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTJD1155LT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
400mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-88/SC70-6/SOT-363
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