SI6968BEDQ-T1-GE3 Preise (USD) [354596Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI6968BEDQ-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI6968BEDQ-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI6968BEDQ-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI6968BEDQ-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package :
8-TSSOP
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