Beschreibung :
GANFET N-CH 80V 18A DIE
Serie :
Automotive, AEC-Q101, eGaN®
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
415pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die Outline (6-Solder Bar)