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- Artikelnummer:
- IPD12CNE8N G
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPD12CNE8N G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD12CNE8N G
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
85V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4340pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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