SQ1912EH-T1_GE3 Preise (USD) [610452Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ1912EH-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ1912EH-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ1912EH-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ1912EH-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ1912EH-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 10V
Leistung max :
1.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-70-6
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