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- Artikelnummer:
- IRF9953TR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF9953TR elektronische Komponenten. IRF9953TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF9953TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF9953TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF9953TR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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