Infineon Technologies - BSC0923NDIATMA1

KEY Part #: K6525311

BSC0923NDIATMA1 Preise (USD) [185285Stück Lager]

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Artikelnummer:
BSC0923NDIATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0923NDIATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSC0923NDIATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A, 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 15V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : PG-TISON-8

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