Artikelnummer :
TSM045NA03CR RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1194pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN