Infineon Technologies - IPN80R4K5P7ATMA1

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Artikelnummer:
IPN80R4K5P7ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN80R4K5P7ATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPN80R4K5P7ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Serie : CoolMOS™ P7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 500V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223
Paket / fall : TO-261-3

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