Artikelnummer :
IPN80R4K5P7ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 500V
Verlustleistung (max.) :
6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223