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- Artikelnummer:
- SPP80N06S2L-06
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPP80N06S2L-06 elektronische Komponenten. SPP80N06S2L-06 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPP80N06S2L-06 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPP80N06S2L-06 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPP80N06S2L-06
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5050pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Paket / fall :
TO-220-3
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