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Microsemi Corporation - APT60N60BCSG

KEY Part #: K6398790

APT60N60BCSG Preise (USD) [4345Stück Lager]

  • 1 pcs$10.96631
  • 10 pcs$9.97022
  • 100 pcs$8.47468
Artikelnummer:
APT60N60BCSG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT60N60BCSG elektronische Komponenten. APT60N60BCSG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT60N60BCSG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT60N60BCSG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT60N60BCSG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 431W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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