Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
980 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220FM
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack