Global Power Technologies Group - GP1M005A050PH

KEY Part #: K6402700

[2614Stück Lager]


    Artikelnummer:
    GP1M005A050PH
    Hersteller:
    Global Power Technologies Group
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Global Power Technologies Group GP1M005A050PH elektronische Komponenten. GP1M005A050PH kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GP1M005A050PH haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M005A050PH Produkteigenschaften

    Artikelnummer : GP1M005A050PH
    Hersteller : Global Power Technologies Group
    Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 627pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 92.5W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : I-PAK
    Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.