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Microsemi Corporation - APTM120A20DG

KEY Part #: K6522669

APTM120A20DG Preise (USD) [579Stück Lager]

  • 1 pcs$80.49067
  • 100 pcs$80.09022
Artikelnummer:
APTM120A20DG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM120A20DG elektronische Komponenten. APTM120A20DG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM120A20DG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120A20DG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM120A20DG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 600nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V
Leistung max : 1250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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