IXTA18P10T Preise (USD) [55012Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTA18P10T
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTA18P10T elektronische Komponenten. IXTA18P10T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTA18P10T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTA18P10T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTA18P10T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Serie :
TrenchP™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXTA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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