1N4150W-G3-18 Preise (USD) [2134704Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 1N4150W-G3-18
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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1N4150W-G3-18 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
1N4150W-G3-18
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-123
Supplier Device Package :
SOD-123
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
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