IXFN66N85X Preise (USD) [2849Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN66N85X
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN66N85X elektronische Komponenten. IXFN66N85X kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN66N85X haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFN66N85X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN66N85X
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
850V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
230nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
830W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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