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Microsemi Corporation - APTM20DAM05G

KEY Part #: K6396589

APTM20DAM05G Preise (USD) [854Stück Lager]

  • 1 pcs$54.66375
  • 100 pcs$54.39179
Artikelnummer:
APTM20DAM05G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 317A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM20DAM05G elektronische Komponenten. APTM20DAM05G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM20DAM05G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM20DAM05G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM20DAM05G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 317A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 448nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1136W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP6
Paket / fall : SP6

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