NXP USA Inc. - BS108/01,126

KEY Part #: K6400312

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    Artikelnummer:
    BS108/01,126
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. BS108/01,126 elektronische Komponenten. BS108/01,126 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BS108/01,126 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BS108/01,126 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BS108/01,126
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 2.8V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-92-3
    Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)