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- Artikelnummer:
- GT50J121(Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 50A 240W TO3P LH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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GT50J121(Q) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GT50J121(Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
100A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.45V @ 15V, 50A
Leistung max :
240W
Energie wechseln :
1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
90ns/300ns
Testbedingung :
300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3PL
Supplier Device Package :
TO-3P(LH)
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