Toshiba Semiconductor and Storage - GT50J121(Q)

KEY Part #: K6424068

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    Artikelnummer:
    GT50J121(Q)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 600V 50A 240W TO3P LH.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q) elektronische Komponenten. GT50J121(Q) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GT50J121(Q) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GT50J121(Q) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : GT50J121(Q)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 50A
    Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 100A
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 50A
    Leistung max : 240W
    Energie wechseln : 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
    Eingabetyp : Standard
    Gate Charge : -
    Td (ein / aus) bei 25 ° C : 90ns/300ns
    Testbedingung : 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-3PL
    Supplier Device Package : TO-3P(LH)