DMN33D8LT-7 Preise (USD) [1317573Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN33D8LT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 0.115A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN33D8LT-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN33D8LT-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 0.115A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
48pF @ 5V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
240mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-523
Paket / fall :
SOT-523
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