FQP13N10L Preise (USD) [72496Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQP13N10L
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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FQP13N10L Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQP13N10L
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
65W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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