Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO251
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 6A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
60ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 600V
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-251-2, IPak
Supplier Device Package :
TO-251-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C