ON Semiconductor - NTMFS6H836NT1G

KEY Part #: K6397162

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Artikelnummer:
NTMFS6H836NT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
T8 80V SO8FL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTMFS6H836NT1G elektronische Komponenten. NTMFS6H836NT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTMFS6H836NT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS6H836NT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NTMFS6H836NT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : T8 80V SO8FL
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Ta), 74A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 95µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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