NTBS2D7N06M7 Preise (USD) [38754Stück Lager]
- 1 pcs$1.00893
- Artikelnummer:
- NTBS2D7N06M7
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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NTBS2D7N06M7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTBS2D7N06M7
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6655pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
176W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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