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- Artikelnummer:
- IRLR3303TR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLR3303TR elektronische Komponenten. IRLR3303TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLR3303TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRLR3303TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLR3303TR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
68W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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