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- Artikelnummer:
- SIR808DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SIR808DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIR808DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
815pF @ 12.5V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
29.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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