SQJQ906EL-T1_GE3 Preise (USD) [68077Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQJQ906EL-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQJQ906EL-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQJQ906EL-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQJQ906EL-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQJQ906EL-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQJQ906EL-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3238pF @ 20V
Leistung max :
187W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® 8 x 8 Dual
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